
在半導(dǎo)體制造過(guò)程中,電子氣體的純度直接影響芯片的良率與器件性能。隨著先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)的不斷推進(jìn),對(duì)氣體純度的要求也日益嚴(yán)格,雜質(zhì)控制需達(dá)到ppb(十億分之一)乃至ppt(萬(wàn)億分之一)級(jí)別。其中,氯硅烷類化合物(如三氯氫硅、四氯化硅等)以及高純載氣(如He、H?、Ar、N?、Cl?、HCl等)作為關(guān)鍵工藝氣體,廣泛應(yīng)用于多晶硅、單晶硅及薄膜沉積等環(huán)節(jié)。
然而,氯硅烷在生產(chǎn)、儲(chǔ)存及使用過(guò)程中容易產(chǎn)生多種雜質(zhì),如磷化氫、氧、氮、碳?xì)浠衔锏?,這些雜質(zhì)對(duì)最終材料的電學(xué)性能與穩(wěn)定性產(chǎn)生顯著影響。因此,建立一套穩(wěn)定、靈敏、準(zhǔn)確的分析方法,實(shí)現(xiàn)對(duì)氯硅烷及其工藝氣體中雜質(zhì)的高效檢測(cè),已成為提升產(chǎn)品質(zhì)量與工藝控制水平的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
珀金埃爾默基于多年在半導(dǎo)體材料檢測(cè)領(lǐng)域的技術(shù)積累,結(jié)合先進(jìn)的氣相色譜與質(zhì)譜平臺(tái),開(kāi)發(fā)出適用于多種氣體基質(zhì)的高靈敏度檢測(cè)方法,助力企業(yè)實(shí)現(xiàn)高純氣體與氯硅烷工藝的全面質(zhì)量控制。
文集目錄
高純氣體中的雜質(zhì)檢測(cè)
1 高純He中微量H?、O?、Ar、N?、CH?、CO、CO?雜質(zhì)的測(cè)定
2 高純H?中微量O?、Ar、N?、CH?、CO、CO?雜質(zhì)的測(cè)定
3 高純Ar中微量H?、N?、CH?、CO、CO?雜質(zhì)的測(cè)定
4 高純N?中微量H?、O?、Ar、CH?、CO、CO?雜質(zhì)的測(cè)定
5 高純HCl中微量H?、O?、Ar、CH?、CO、CO?雜質(zhì)的測(cè)定
6 高純Cl?中微量H?、O?、Ar、CH?、CO、CO?雜質(zhì)的測(cè)定
氯硅烷及相關(guān)工藝檢測(cè)應(yīng)用
1 工業(yè)用硅烷氣體中微量二氯二氫硅、三氯氫硅、四氯化硅雜質(zhì)的測(cè)定
2 氯硅烷工藝中回收氫和還原尾氣中氯硅烷組分的測(cè)定
3 回收氫氣中微量磷化氫的測(cè)定
4 氯硅烷工藝回收氫氣中的O?和N?測(cè)定
5 三氯氫硅的組分測(cè)定
6 氯硅烷中碳含量測(cè)定
7 高純?nèi)形⒘侩s質(zhì)氣體檢測(cè)
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珀金埃爾默半導(dǎo)體行業(yè)氯硅烷分析應(yīng)用文集